Modélisation éléctrique et thermique des transistors mesfets de puissance

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Pour répondre aux restrictions imposées, telles que les rayonnements de haute puissance, les circuits de puissance à haute fréquence et les composants de diverses technologies visent une fiabilité et une durée de vie optimales. Ces composants électroniques sont les composants principaux des circuits intégrés est la source de tous les développements technologiques. Les nouvelles architectures de circuits intégrés et de circuits hyperfréquences nécessitent de grands progrès dans l'opération de fabrication. Les systèmes nécessitent une technologie à semi-conducteurs qui peut offrir une puissance, une précision, une fréquence et une efficacité supérieures et rendement plus élevé. Pour contribuer à améliorer la fiabilité de ces composants et circuits intégrés, il est nécessaire de modéliser leurs fonctionnements électriques et leurs comportements sous l'influence de température en fonction des conditions externes. Dans cette perspective, nous avons fait ce travail de recherche basé sur la modélisation du transistor GaAs-MESFET qui tient compte de l'effet de la température et des conditions de polarisation. Un nouveau modèle analytique est proposé pour prédire les performances du dispositif MESFET-GaAs, il a été simulé et a donné des résultats très satisfaisants.