Etude et modélisation des MOSFETs Balistiques

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Le Mosfet , composant clé dans lindustrie microélectronique voit ces dimension atteindre des dimensions nanométriques .a une telle échelle énormément de phénoménes , notamment quantiques , apparaissent et dégradent les performances du nano MOSFET . L'amélioration de ses performances passe par l'optimisation de ses paramètres et des procédes de fabrication .la modilisation des dispositifs est trés importante dans le processus de fabrication dans des mesure ou les côuts sont très importants. ainsi , la modélisation permet de prévoir le comportement et la faisabilité d'un dispositif avant sa réalisation . la simulatio des transistors a donc besoin de théories et techniques de modélisation qui amélioreront la compréhension physique des dispositifsMOSFET de taille nanométrique. notamment le transport balistique ou quasibalistique, est l'une des approches les plus prometteuse pour l'amélioiration de ses performances