Contribution to the study and characterization of the oxide and oxide-silicon interface in MOS devices
Type doc. :
Thèses / mémoires
Langue :
Anglais
Auteur(s) :
Année de soutenance:
2000
| N° Bulletin | Date / Année de parution | Titre N° Spécial | Sommaire |
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| N° d'Exemplaire / inventaire | Cote | Localisation | Type de Support | Type de Prêt | Statut | Date de Restitution Prévue | Réservation |
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| 700EL/2000/01 | 700EL/2000/01 | BIB-TIZI OUZOU / Mag du RDC | interne | disponible |
Benfdila, A. & Chikouche, A. (2000). Contribution to the study and characterization of the oxide and oxide-silicon interface in MOS devices (Doctorat d'Etat) . Tizi-Ouzou.